Disilicidiu di Titaniu, TiSi2

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Disilicidiu di Titaniu, TiSi2

Prestazioni di siliciu di titaniu: ottima resistenza à l'ossidazione à alta temperatura, aduprata cum'è materiali resistenti à u calore, corpu di riscaldamentu à alta temperatura, ecc.


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Silicide di titaniu, pesu moleculare: 116.1333, N ° CAS: 12039-83-7, N ° MDL: mfcd01310208

N ° EINECS: 234-904-3.

Rendimentu di siliciu di titaniu: ottima resistenza à l'ossidazione à alta temperatura, adupratu cum'è materiali resistenti à u calore, corpu di riscaldamentu à alta temperatura, ecc. U silicatu di titaniu hè ampiamente adupratu in porta, surghjente / drenu, interconnessione è cuntattu ohmicu di semiconduttore di ossidu metallicu (MOS), transistore à effettu di campu à semiconduttore d'ossidu metallicu (MOSFET) è memoria dinamica d'accessu casuale (DRAM)

1) Un stratu di barriera in silicide di titaniu hè preparatu. U dispositivu chì adotta u metudu di preparazione di u stratu di barriera in silicide di titaniu include una regione micca silicida è una regione silicida separata da una regione d'isolamentu, è a superficie superiore di u dispositivu hè coperta cù un stratu d'ossidu sacrifiziale.

2) Hè stata preparata una sorta di particule di siliciu di titaniu sintetizatu (Ti5Si3) particelle rinfurzate in alluminiu carburu di titaniu (Ti3AlC2). U materiale compositu carburu di titaniu di alluminiu / siliciu di titaniu cù alta purezza è alta resistenza pò esse preparatu à una temperatura più bassa è à un tempu più cortu.

3) U vetru revestitu di siliciu di titaniu funzionale cumpostu hè statu preparatu. Un film finu hè depositu annantu à un substratu cumunu di vetru floatu o una pellicula di siliziu hè depositata trà elli. A forza meccanica è a resistenza à a corrosione chimica di u vetru rivestitu ponu esse migliorate preparendu a pellicula cumposta di silicuru di titaniu è carburu di siliziu o aghjunghjendu una piccula quantità di carbone attivo o azotu in u film. L'invenzione si riferisce à un novu tipu di vetru rivestitu chì combina e funzioni di oscuramentu è isolamentu termicu è vetru à bassa radiazione. 4) Un elementu semiconduttore hè preparatu, chì include un substratu di silicuu, nantu à u quali sò furmati un cancellu, una fonte è un drenu. , Un stratu isolante hè furmatu trà a porta è u substratu di siliciu, a porta hè cumposta da un stratu di polisilicone nantu à u stratu isolante è un stratu di siliciu di titaniu nantu à u stratu di polisilicone, un stratu protettivu hè furmatu nantu à u stratu di siliciu di titaniu, è u prutettore stratu, u stratu di silicide di titaniu, u stratu di polisilicone è u stratu isolante sò circundati da Ci sò trè strati di stratu di struttura, chì sò stratu di parete di gap di nitruru di silicuu, stratu idrofilicu è stratu di parete di gap di ossidu di silicuu da l'internu à l'esternu. U stratu di silicide di titaniu hè furmatu nantu à l'elettrodu di fonte è l'elettrodu di drenu, u stratu dielettricu di u stratu internu hè furmatu nantu à u substratu di silicuu, è l'apertura di a finestra di cuntattu hè furmata in u stratu dielettricu di u stratu internu. Adottendu u schema tecnicu, u mudellu d'utilità pò insulà cumpletamente l'elettrodu di rete è u filu in a finestra di cuntattu, è ùn ci serà micca fenomenu di cortocircuitu.

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